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IT之家 7 月 31 日消息，微星（MSI）昨日（7 月 30 日）發(fā)布博文，宣布在標準 EXPO DDR5 內存上，通過啟用 High-Efficiency 模式，其性能可以媲美 EXPO ULL 內存。

IT之家注：EXPO 是 AMD 推出的內存一鍵超頻技術，專為 AM5 平臺和 DDR5 內存設計，通過調整參數和時序，能夠更好地契合 AMD 銳龍（Ryzen）處理器的架構特性，發(fā)揮平臺最大潛力。

而 EXPO ULL 中的 ULL 代表超低延遲，在維持相同的內存頻率與主要時序（如 6000 MT/s CL36）的前提下，進一步收緊 tRRD、tFAW、tWTR、tWR、tRFC 等二級和三級次要時序，從而深度壓低內存的讀寫延遲。

微星的測試平臺為：

• CPU：AMD Ryzen 7 9800X3D
• 主板：MSI B850MPOWER
• 內存：
• • 2 根芝奇 G.SKILL F5-6000A3038F16GX2-TZ5NXRK (EXPO ULL) 16GB
  • 2 根芝奇 G.SKILL F5-6000J3038F16GX2-TZ5N (Standard) 16GB
• 顯卡：MSI GeForce RTX 5090 32G VANGUARD SOC
• CPU 散熱器：MSI MPG CORELIQUID P13 360
• 電源：MSI MEG Ai1300P PCIE5
• 操作系統(tǒng)：Microsoft Windows 11 25H2

IT之家此前報道，EXPO ULL 內存首發(fā)價遠超預期，芝奇 DDR5-6000 CL28 新品溢價高達 79%。

微星在博文中表示，默認設置下，時序為 CL30-38-38-96 的標準 EXPO 內存延遲為 79.4 ns；EXPO ULL 內存延遲為 71.4 ns。

啟用 High-Efficiency Mode 后，標準 EXPO 內存延遲降至 71.6 ns，接近 EXPO ULL 內存的 71.4 ns。微星稱，該模式不會大幅改善 EXPO ULL 內存延遲，因此已使用 ULL 內存套裝的用戶無需啟用。

內存規(guī)格延遲（未啟用 High-Efficiency 模式）延遲（啟用 High-Efficiency 模式）EXPO 6000 CL30-38-38-96 (Standard)79.4ns71.6nsEXPO 6000 CL30-38-38-32 (ULL)71.4ns71.1ns

該功能已納入 MSI CLICK BIOS X，可在“Overclocking”頁面找到。用戶可在 Tightest、Tighter、Balance 和 Relax 共 4 檔預設中選擇。

標簽： 內存 ns amd 處理器 微星科技 固態(tài)硬盤 efficiency